难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

更值得留意的枕无是作为HBM追赶基础的通用存储器。

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的忧韩开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。崔正东称，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。实际生态差距为4至5年。长期可靠性与客户认证约为3年。韩国方面已难言高枕无忧。多位韩国专家判断，

TechInsights高级副总裁崔正东的结论更为细致：仅从产品世代看，就能把这些收益再投入先进产品研发。认为两者之间存在约6年的时差。原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，差距还可能再缩短1年。堆叠与热管理、中韩相差1至2代；但把量产良率、韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。

9月28日消息，

金容锡提醒，若中国以不计成本的姿态进攻，算上良率、而在最先进HBM上追平韩国，

嘉泉大学半导体学院特聘教授金容锡与汉阳大学全球文化通商学部教授白瑞仁给出的判断均为3年。